萨瓦河岩石

萨瓦斯·卡亚收到了M.菲尔。. 毕业于剑桥大学，剑桥，美国.K.在1994年，重点研究偏振不敏感液晶开关和Ph.D. 毕业于英国伦敦帝国理工学院科学、技术和医学专业.K.他的研究重点是邻近衬底上的应变硅量子阱. 1998年至2001年，他在格拉斯哥大学担任博士后研究员, 开展Si/SiGe mosfet的输运和标度研究, 以及decanano mosfet中的波动现象. 他广泛的研究兴趣包括半导体物理, 输运理论, 设备建模和流程集成, 奈米制造, 用于柔性电子集成和印刷电子的纳米结构和传感器. 他使用柔性电子设备和印刷方法开发的多模态传感器用于生物医学, 环境和结构健康监测. newbb电子程序. 近年来，博士. Kaya在混合信号电路设计方面也有重要的研究活动，使用纳米级finfet在无线网络中的newbb电子, RF CMOS子系统以及超低功耗的10nm以下逻辑器件, 可扩展计算和安全计算硬件. 

主要研究方向: 电子传递，膜蛋白结构，硅器件，纳米电子学

所有学位: Ph.D.量子电子器件，帝国理工学院 & Medicine, University of London, 1998; M.菲尔。., Semiconductor Physics and Microelectronic 工程, University of Cambridge, 1994; B.S.1992年，伊斯坦布尔技术大学电子与通信工程专业毕业